一周的时间飞逝而过，这一周林禹完成了两项工作，一项是锑化镓和砷化铟镓的研究，另一件就是人工智能项目组的氧化镓芯片交付了。
对于锑化镓的研究很迅速，因为系统研究所的存在，所以多次实验之后，林禹很顺利地在现实里复刻出来。
首先，使用LEC法制作两英寸锑化镓单晶：使用高纯度Ga元素和Sb元素原位合成多晶，待熔体稳定适当时间并去除其表面氧化物浮渣后进行单晶生长，在单晶生长过程中采用NaCl-KCl作为液封剂。
然后采用和之前测试氧化镓一样的办法，利用X射线仪、紫外线谱仪、原子力显微镜这类仪器进行锑化镓的测定。
林禹也顺顺利利地将锑化镓的研究论文写了出来，同样是作为二维半导体材料研究的一部分，成为五人小组的共同成果。
而对于砷化铟镓，这种材料早在十年前就有米国的研究室制作出了成熟的晶体管，这种材料能够让电子的传输速度提高很多，是硅的许多倍。
砷化铟镓的各种性质基本介于砷化铟和砷化镓之间，在常温和低电压之下能够让电路里的电子正常通过，从另一种方面来说，计算机的效率会因此提高。
而且这种材料制作的晶体管能够快速处理信号，绝对是电子半导体的优良材料。
然而砷化铟镓制作的22纳米晶体管有一个非常不好的消息，那就是再这样的尺度之下，它的性能会恶化，这一点来自于氧化物捕获，电脉冲在通过砷化铟镓制作的晶体管时，如果保持一个较低的频率，来自氧化物的捕获会让电子的性能下降，然而解决办法也很简单，就是提高电脉冲通过晶体管的频率。
利用这种材料能够更加有效地将芯片缩小化，使得各种器械更加轻便化。
林禹对于砷化铟镓的研究已经基本完成，现在就是实验室再次复刻实验就行。
这周周五的时候，龚院士院士来了消息，说是让电子实验室帮忙制作的氧化镓芯片已经试制成功，根据那边的测试，这种材料制作的芯片能够提高一定的效能。
周末的时候，林禹就去了电信二楼的人工智能项目研究组，准备将芯片交换到他们的研究成果当中。
“龚老，我们还需要进行图灵测试吗？”
“要，怎么不要？”龚院士想都没想就直接回复了林禹。
“拿我们还需要找志愿者来参与测试吗？”
“应该不用吧？”龚院士有些迟疑，毕竟林教授还没来，
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